Produktbeschreibung
Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-10-F2 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.
Die Speicherfrequenz beträgt 1333 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1066 MHz.
Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-10600S-09-10-F2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL9.
Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.
Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix). Sie erhalten eine lebenslange Garantie auf all unsere Speichermodule. Für weitere Informationen zur Garantie lesen Sie bitte die
- Neuer Speicher.
- Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
- Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
- Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.
- Kompatibel mit PC3-10600S-09-10-F2 wie z.B:
Nanya NT4GC64B8HG0NS-CG
Nanya NT4GC64B8HB0NS-CG
Hynix HMT351S6BFR8C-H9
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G
Kingston ACR512X64D3S13C9G
Produktdetails
- EAN: 4262360570746
- Speichertyp: DDR3 RAM
- Marke: BRAINZAP
- Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-10-F2
- Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
- Speicher-Frequenz: 1333 MHz
- Modul-Einzelkapazität: 4GB
- Anzahl Module: 1
- Gesamtkapazität: 4GB
- Speicher-Spezifikation: PC3-10600S-09-10-F2
- JEDEC Norm: PC3-10600S
- Bauform: SO DIMM 204-pol.
- Unbuffered: ja
- ECC: nein
- Registriert: nein
- Spannung: 1.5V
- Latenz (CL): 9
- RAS to CAS Delay (tRCD): 9
- Ras Precharge Time (tRP): 9
- Chip-Anordnung: 2Rx8
