Produktbeschreibung
Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1066-2RN-07-10-F2 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.
Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .
Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-07-10-F2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7.
Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.
Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).
- Neuer Speicher.
- Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
- Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
- Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.
- Kompatibel mit PC3-8500S-07-10-F2 wie z.B:
Samsung M471B5273BH1-CF8
Samsung M471B5273CH0-CF8
Hynix HMT351S6AFR8C-G7
Produktdetails
- EAN: 4262360570807
- Speichertyp: DDR3 RAM
- Marke: BRAINZAP
- Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1066-2RN-07-10-F2
- Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
- Speicher-Frequenz: 1066 MHz
- Modul-Einzelkapazität: 4GB
- Anzahl Module: 1
- Gesamtkapazität: 4GB
- Speicher-Spezifikation: PC3-8500S-07-10-F2
- JEDEC Norm: PC3-8500S
- Bauform: SO DIMM 204-pol.
- Unbuffered: ja
- ECC: nein
- Registriert: nein
- Spannung: 1.5V
- Latenz (CL): 7
- RAS to CAS Delay (tRCD): 7
- Ras Precharge Time (tRP): 7
- Chip-Anordnung: 2Rx8
